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东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化世界通讯

时间：2023-06-29 19:12:48 来源：电子工程网

—采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区—

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。

TPH3R10AQM具有业界领先的[2]Ω最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[2]。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%[3]，使其适合线性模式工作。而且降低导通电阻和扩大安全工作区的线性工作范围可以减少并联连接的数量。此外，其栅极阈值电压范围为至，不易因栅极电压噪声而发生故障。

(相关资料图)

新产品采用高度兼容的SOP Advance(N)封装。

未来，东芝将继续扩展其功率MOSFET产品线，通过减少损耗来提高电源效率，并帮助降低设备功耗。

 应用

- 数据中心和通信基站等通信设备的电源

- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）

 特性

- 具有业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝Ω（最大值）（VGS＝10V）

- 宽安全工作区

- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

 主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号			TPH3R10AQM
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）		100
	漏极电流（DC）ID（A）	Tc＝25℃	120
	结温Tch（℃）		175
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(ON)	VGS＝10V
	最大值（mΩ）	VGS＝6V	6
	总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC）		83
	栅极开关电荷Qsw典型值（nC）		32
	输出电荷Qoss典型值（nC）		88
	输入电容Ciss典型值（pF）		5180
封装	名称		SOP Advance(N)
	尺寸典型值（mm）		×
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